清华大学
中国科学院
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浙江大学
50+
服务顶尖实验室
0.1nm
精度达亚纳米级
100+
核心专利技术
核心价值
无掩膜直写技术
快速原型验证，无需昂贵掩膜版，研发周期缩短 70%
DMD 分辨率≥1024×768
像元尺寸≤15μm
对准精度≤0.5μm
亚纳米级精度
超高真空 AFM 实现原子级分辨率表征，极端环境下精准测量
分辨率<0.1nm
真空度≤1×10⁻¹⁰ mbar
重复定位精度±20nm
DUV 干涉光刻
大面积周期性纳米结构制备，光子晶体/光栅的理想工具
光栅线宽≤55nm
周期≤120nm
光强均匀性≤2%
技术特性
掌握核心关键技术，提供从纳米压印、光学对准到晶圆传输的完整解决方案
纳米压印微纳位移台
高精度多轴位移控制，支持晶圆与掩模板的精密对准与压印
Z 向行程：≥20mm，微动增量≤50nm
X/Y 宏动行程：≥600/300mm
重复定位精度：≤100nm
最大速度：≥500mm/s
光学对准与曝光系统
多 CCD 视觉定位，DMD 数字微镜直写，实现高精度图形化加工
CCD 分辨率：≥1920×1080
DMD 分辨率：≥1024×768
对准精度：≤0.2mm
位移测量分辨率：≤5nm
EFEM 前端模块
全自动晶圆传输系统，十级洁净度，支持 8 英寸/12 英寸晶圆
兼容晶圆：8"/12"
传输重复精度：≤0.1mm
FOUP 循环时间：≤20s
洁净度：ISO Class 2
产品中心
三大核心产品线，覆盖从纳米制造到精密表征的完整解决方案
型号：GPSZWBG-01A
高精度深紫外激光干涉光刻机
光栅线宽：≤55nm | 周期：≤120nm
ArF 准分子激光器，90nm 及以下节点集成电路芯片制造，大面积均匀纳米结构制备
有效图形面积：≥94mm
对准精度：≤0.8μm
光强均匀性：≤2%
衍射光栅制备半导体制造光子晶体
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型号：GPS-UVML-200
高精度紫外无掩膜光刻机
分辨率：≤1μm | 对准：≤0.5μm
365nm i-line 直写式曝光，无需掩膜版，快速原型验证，研发成本降低 70%
加工面积：100mm×100mm
CAD 文件直导入
维护成本低
MEMS 器件微流控芯片光电子器件
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型号：AFM-VAC-300
超高真空原子力显微镜
分辨率：<0.1nm | 真空：≤1×10⁻¹⁰ mbar
4K-500K 温区，原子级分辨率成像，二维材料、超导体研究的理想工具
扫描范围：100μm×100μm
噪声：<0.3Å RMS
多模式测量
二维材料超导体研究表面科学
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